000    oam2
001 __ 0194029702
005 __ 20100303210214.0
010 __ ■a7-5359-1135-8■b精装■dCNY28.80
100 __ ■a19940719d1993    kemy0chiy0110    ea
101 1_ ■achi■ceng
102 __ ■aCN■b440000
105 __ ■ay   z   000yy
106 __ ■ar
200 1_ ■a半导体材料生长技术■Aban dao ti cai liao sheng zhang ji shu■f(美)曾(Tsang,W.T.)主编■g江剑平等译
210 __ ■a广州■c广东科技出版社■a北京■c清华大学出版社■d1993.10
215 __ ■a443页■d20cm
225 2_ ■a当代科技重要著作·信息领域■i半导体光电子技术丛书
304 __ ■a曾(W·T·Tsang),著者原题无汉译名,美国AT&T贝尔实验室任职
314 __ ■a江剑平,副教授
330 __ ■a本册共6章,详细说明各种Ⅲ-V族化合物半导体的外延生长技术和材料缺陷,讨论了液相外延、分子束外延、常压和低压金属有机化学汽相沉积,以及卤化物和氯化物输运汽相沉积等各项技术。
410 _0 ■12001■a当代科技重要著作·信息领域■i半导体光电子技术丛书
606 0_ ■a半导体材料■x外延生长
606 0_ ■2CT■3S001878■a半导体材料
606 0_ ■2CT■3S076870■a外延生长
690 __ ■aTN304.054■v三版
692 __ ■a73.7213
701 _1 ■a曾■Azeng■bW·T.■4主编
701 _1 ■aTsang■bW.T.■4主编
702 _0 ■a江剑平■Ajiang jian ping■4译
801 __ ■aCN■bNLC■c20100603