000    nam0
001 __ 0194008519
005 __ 20100303210214.0
010 __ ■a7-5022-0978-6■dCNY[不详]
100 __ ■a19940221d1993    kem 0chiy0110    ea
101 0_ ■achi■deng
102 __ ■aCN■b110000
105 __ ■aak   p   000y
106 __ ■ay
200 1_ ■a中国核科技报告■Azhong guo he ke ji bao gao■hCNIC-00776 IAE-0122■i探测器级特高阻区熔硅单晶的高精度微量中子嬗变掺杂■f陈炳贤等著■g中国核情报中心编
210 __ ■a北京■c原子能出版社■d1993.8
215 __ ■a8页■d26cm
300 __ ■a并列题名:China nuclear science & technology report.High precision trace neutron transmutation doping of detector-grade high resistance zong-refined silicon mono-crystal
300 __ ■a版权页题名:探测器级特高阻区熔硅单晶的高精度微量中子嬗变掺杂
314 __ ■a陈炳贤,中国原子能科学研究院高级工程师
510 1_ ■aChina nuclear science & technology report■zeng
517 1_ ■a探测器级特高阻区熔硅单晶的高精度微量中子嬗变掺杂■Atan ce qi ji te gao zu qu rong gui dan jing de gao jing du wei liang zhong zi shan bian chan za
606 0_ ■a核技术■x研究报告■y中国
606 0_ ■2CT■3S031224■a核技术
690 __ ■aTL-24■v三版
692 __ ■a72.3062
701 _0 ■a陈炳贤■Achen bing xian■4著
712 0_ ■a中国核情报中心■Azhong guo he qing bao zhong xin■4编
801 __ ■aCN■bNLC■c20100603